浙江大学杭州国际科创中心-先进半导体研究院功率芯片研究室-博士后-2024年招聘计划J10014

发布时间：2024-09-19

截止日期：详见正文

学历要求：博士研究生

所属省份：浙江

工作地点：杭州

一、课题组简介：

功率芯片研究室是以浙大电气工程学院盛况教授团队为核心成立的，是国内高校中较早开展宽禁带半导体功率芯片研究的团队之一，研究方向包括碳化硅功率芯片、超宽禁带半导体功率芯片、先进散热、封装与应用等，碳化硅功率芯片小组负责人为浙大电气工程学院任娜研究员。2020年研究室建设完成一条国际先进的6吋碳化硅功率芯片专用工艺线，承担了碳化硅功率芯片领域的多个国家重点研发计划、国家自然科学基金、浙江省重点研发计划项目，并与企业成立了碳化硅功率器件技术联合实验室。

盛况教授，国家杰出青年基金获得者，浙江大学求是特聘教授，博士生导师现任浙江大学电气工程学院院长，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长。盛教授长期从事硅和宽禁带半导体功率芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

任娜研究员，浙江大学电气工程学院特聘研究员、博士生导师，浙江大学杭州国际科创中心双聘学者、青年卓越人才计划入选者，长期从事碳化硅功率器件的相关研究，包括器件结构设计、工艺制造、芯片研制、抗辐射可靠性加固等方向。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表70余篇论文，拥有20余项碳化硅功率器件领域的发明专利，并获得首届浙江省知识产权奖三等奖。

二、研究方向：

1.碳化硅MOSFET器件：碳化硅平面栅MOSFET、碳化硅沟槽栅MOSFET、关键工艺制造技术、大电流芯片研制技术；

2.新型碳化硅功率器件：碳化硅浮空结/超级结器件、碳化硅功率集成器件、高压大功率碳化硅器件；

3.碳化硅功率器件辐射效应与抗辐射加固：碳化硅功率器件辐射效应机理、抗辐射加固结构设计与工艺制造方法。

三、博士后招聘条件及要求：

1．具有微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业研究背景。

2．近三年内获得博士学位或入职前可以获得博士学位，以第一作者发表过SCI文章。

3．对科研工作有浓厚的兴趣，有较强科研素养和英文读写能力。

4．具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。

5．年龄在35周岁及以下，身心健康，可全职从事博士后研究工作。

四、职业发展与薪酬待遇：

1．具体面议，同时可享受地方政府免税人才补助15万元/年（外籍人才可享受17.5万元/年。）；应届博士毕业生，符合条件者可额外享受10万元杭州市应届生人才补贴。

2．提供一流的实验与科学研究条件，共享浙江大学顶尖学术生态体系。

3．提供专项科研经费支持；对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，分别给予相应配套资助和奖励；对生源优秀或取得标志成果的博士后，给予额外奖励（相关奖励可叠加）。

4．符合条件的，可申报博士后海外引才专项，享受三年生活补助和安家费相关政策。

5．表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心青年人才、技术研发等岗位。

6．在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。

7．出站后留杭或萧山工作的，可申请杭州市D类人才或萧山区政府相应人才政策。

8．符合条件者可享受科创中心人才房政策。

9．协助解决子女教育入学、办理落户、政府人才配套用房申请、人才项目申报、人才认定等。

10．提供一流的科研条件和博士后联谊会交流平台，享受园区一站式保障服务，如食堂、健身房、体育馆等。

五、应聘方式:

1．提供详细的个人简历，以及表明研究能力和学术水平的成果（如：学术论文、项目、获奖情况等）及佐证材料。

2．应聘者请将材料电子版发送至科创中心人力资源部邮箱：hr-hic@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“功率芯片研究室+博士后+姓名”标明。

应聘者的申请材料将严格保密，初审通过者将安排面试。

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